выавыа
пваыпа
1. Валентные уровни донорной примеси при температуре T 0K располагаются
-
в нижней половине запрещенной зоны, все эти уровни пусты;
-
в середине запрещенной зоны, все эти уровни заполнены;
-
в верхней половине запрещенной зоны, все эти уровни заполнены
-
в верхней половине запрещенной зоны, все эти уровни пусты
-
в середине запрещенной зоны, все эти уровни пусты
2. Валентные уровни акцепторной примеси при температуре T 0K располагаются
-
в нижней половине запрещенной зоны, все эти уровни пусты
-
в середине запрещенной зоны, все эти уровни заполнены
-
в верхней половине запрещенной зоны, все эти уровни заполнены
-
в верхней половине запрещенной зоны, все эти уровни пусты
-
в середине запрещенной зоны, все эти уровни пусты
3. Дрейфовая скорость электронов
-
прямо пропорционально напряженности электрического поля;
-
обратно пропорционально напряженности электрического поля
-
прямо пропорционально квадрату напряженности электрического поля
-
не зависит от напряженности электрического поля
4. Подвижность носителей заряда
-
прямо пропорционально эффективной массе свободных носителей
-
обратно пропорционально эффективной массе свободных носителей
-
обратно пропорционально квадратному корню из эффективной массы свободных носителей
-
не зависит от эффективной массы свободных носителей
5. Уровень Ферми в полупроводнике р-типа расположен
-
в верхней половине запрещенной зоны
-
в зоне проводимости
-
в нижней половине запрещенной зоны
-
в середине запрещенной зоны
6. Уровень Ферми в полупроводнике n-типа расположен
-
в верхней половине запрещенной зоны
-
в зоне проводимости
-
в нижней половине запрещенной зоны
-
в середине запрещенной зоны
7. В неравновесном состоянии эквивалентное время жизни избыточных носителей определяется
-
временем жизни основных носителей
-
временем рассасывания избыточных носителей
-
временем жизни неосновных носителей;
-
временем накопления избыточных носителей
8. В рабочем диапазоне температур температурная зависимость удельной проводимости примесных полупроводников определяется
-
температурной зависимостью собственной концентрации ni, , с ростом температуры увеличивается
-
температурной зависимостью концентрации примесей
-
температурной зависимостью подвижности носителей заряда, с ростом температуры уменьшается
-
от температуры не зависит
-
температурной зависимостью подвижности носителей заряда, с ростом температуры увеличивается
9. С увеличением собственной концентрации в 10^3 раз при температурном потенциале 26мВ ширина запрещенной зоны
-
уменьшилась на 359 мВ
-
уменьшилась на 179,6 мВ
-
не изменилась
-
увеличилась на 179,6 мВ
-
увеличилась на 359 мВ
10. В примесном полупроводнике концентрация примеси увеличилась в 2 раза. Концентрация неосновных носителей
-
увеличилась в 2 раза;
-
не изменилась
-
увеличилась в 4 раза
-
уменьшилась в 2 раза;
-
уменьшилась в 4 раза.
11. В примесном полупроводнике собственная концентрация уменьшилась в 2 раза. Концентрация неосновных носителей
-
уменьшилась в 2 раза
-
уменьшилась в 4 раза
-
не изменилась
-
увеличилась в 4 раза
-
увеличилась в 2 раза
12. При увеличении подвижности электронов в 2 раза средняя диффузионная длина
-
уменьшается в √2 раз
-
не изменяется
-
увеличивается 2 раза
-
увеличивается √2 раз
-
уменьшается в 2 раза
13. Удельная проводимость примесного полупроводника при уменьшении подвижности носителя заряда в 2 раза
-
увеличивается в 2 раза;
-
уменьшается в 2 раза;
-
не изменяется;
-
уменьшается в √2 раз
-
увеличивается в √2 раза
14. При увеличении температуры в 4 раза средняя диффузионная длина носителей заряда в кремнии
-
уменьшается в 2√2 раза
-
не изменяется
-
увеличивается 2 раза
-
увеличивается √2 раз
-
увеличивается в 2√2 раза
15. Время жизни неосновных носителей в полупроводнике меньше
-
в собственном полупроводнике
-
в слаболегированном полупроводнике
-
в сильнолегированном полупроводнике
-
от степени легирования не зависит. пока непонятно
16. Если концентрацию примеси в полупроводнике увеличить в 10^4 раз , то длина Дебая в примесном полупроводнике
-
уменьшится в 200 раз
-
уменьшится в 100 раз
-
уменьшится в 50 раз
-
увеличится в 50 раз
17. Важнейшей особенностью эффекта поля в примесных полупроводниках является режим обогащения приповерхностного слоя
-
основными носителями
-
неосновными носителями
-
ионами доноров
-
ионами акцепторов
18. Напряженность электрического поля внутри p-n– перехода, при
увеличении степени легирования областей
-
возрастает
-
уменьшается
-
не изменяется
-
нет однозначного ответа
19. Равновесная ширина ступенчатого p-n-перехода с увеличением высоты
потенциального барьера в 4 раза
-
уменьшается в 4 раза
-
уменьшается в 2 раза
-
не изменяется
-
увеличивается в 2 раза.
20. Базовый слой это
-
слаболегированная область с малым удельным сопротивлением
-
слабо легированная область с большим удельным сопротивлением
-
сильнолегированная область с малым удельным сопротивлением
-
сильнолегированная область с большим удельным сопротивлением
21. Равновесная ширина ступенчатого p-n-перехода с увеличением подвижности носителей заряда в 4 раза
-
уменьшается в 2 раза
-
увеличивается в 2 раза
-
не изменяется
-
увеличивается в 4 раза.
22. Равновесная ширина ступенчатого p-n-перехода с уменьшением удельной проводимости в 16 раз
-
увеличивается в 4 раза
-
уменьшается в 8 раз
-
не изменяется
-
уменьшается в 4 раза
23. Равновесная высота потенциального барьера при увеличении степени легирования одной из областей
-
увеличивается
-
уменьшается
-
не изменяется
-
нет однозначного ответа
24. Для уменьшения равновесной ширины ступенчатого p-n-перехода в два раза нужно
-
увеличить концентрацию примеси в 4 раза
-
уменьшить концентрацию примеси в 2 раза
-
уменьшить концентрацию примеси в 4 раза
-
увеличить концентрацию примеси в 2 раза
25. Барьерная емкость диода
-
возникает при прямом включении диода и отражает перераспределение зарядов в переходе
-
возникает при обратном включении диода и отражает перераспределение зарядов в переходе
-
возникает при прямом включении диода и отражает перераспределение зарядов в базе
-
возникает при обратном включении диода и отражает перераспределение зарядов в базе
26. диффузионная емкость диода
-
возникает при прямом включении диода и отражает перераспределение зарядов в переходе
-
возникает при обратном включении диода и отражает перераспределение зарядов в переходе
-
возникает при обратном включении диода и отражает перераспределение зарядов в переходе
-
возникает при обратном включении диода и отражает перераспределение зарядов в базе
27. Наименьшее время восстановления для импульсных диодов можно получить
-
снижая время жизни неосновных носителей
-
уменьшая эффективную концентрацию примесей в базе
-
уменьшая толщину базы
-
выбирая полупроводники с большей подвижностью носителей
-
используя электрический переход металл- полупроводник
28. Принцип действия варикапов основан
-
на зависимости диффузионной емкости p-n-перехода от обратного напряжения
-
на зависимости барьерной емкости p-n-перехода от обратного напряжения
-
на зависимости диффузионной емкости p-n-перехода от прямого напряжения
-
на зависимости барьерной емкости p-n-перехода от прямого напряжения
29. Выбрать и обосновать правильный ответ соотношения дифференциального сопротивления rd и сопротивления постоянному току Rd.
-
в области прямых токов Rd > rd, области обратных токов Rd < rd;
-
в области прямых токов Rd < rd, области обратных токов Rd >rd;
-
в области прямых токов Rd < rd, области обратных токов Rd < rd,
-
в области прямых токов Rd > rd, области обратных токов Rd >rd;
-
в области прямых и обратных токов Rd =rd.
30. Напряжение пробоя в полупроводниковых стабилитронах зависит
-
от удельного сопротивления базы
-
от теплового тока
-
от инжекции неосновных носителей
-
от времени жизни носителей
31. Модуляция толщины базы влияет на ту долю инжектированных электронов, которые доходят до коллектора. Это приводит
-
к возникновению конечного дифференциального сопротивления коллекторного перехода
-
к возникновению диффузионной емкости коллекторного перехода
-
к возникновению внутренней обратной связи по напряжению
-
к возникновению частотных свойств транзистора
32. Модуляция толщины базы сопровождается изменением заряда дырок в базе. Это приводит
-
к возникновению конечного дифференциального сопротивления коллекторного перехода
-
к возникновению диффузионной емкости коллекторного перехода
-
к возникновению внутренней обратной связи по напряжению
-
к возникновению частотных свойств транзистора
33. Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера в цепь коллектора (α) с уменьшением толщины базы
-
возрастает
-
уменьшается
-
не зависит от толщины базы
-
нет однозначного ответа
34. При расчете электронных схем транзистор представляют в виде активного четырехполюсника. По ряду причин наибольшим распространением в транзисторной технике пользуется h-система. А и определить физический смысл h-параметров. Выбрать вариант правильного ответа:
-
h11- выходная проводимость при холостом токе на входе; h12 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом токе на входе; h21– коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе; h22 – входное сопротивление транзистора при холостом токе на выходе.
-
h11- входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе; h12 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом токе на входе; h21 – коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе; h22 –выходное сопротивление транзистора при холостом токе на входе
-
h11- входное сопротивление транзистора при холостом токе на выходе; h12 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом токе на входе; h21 – коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе; h22 –выходная проводимость транзистора при холостом токе на входе.
-
h11- входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе; h12 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом токе на входе; h21 – коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе; h22 –выходная проводимость транзистора при холостом токе на входе.
-
h11- входное сопротивление транзистора при холостом токе на выходе; h12 – коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе; коэффициент обратной связи по напряжению при холостом токе на входе; h21 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом токе на входе; h22 –выходная проводимость транзистора при холостом токе на входе.
35. Переходные и частотные свойства биполярного транзистора лучше
-
в схеме ОЭ
-
в схеме ОБ
-
в схеме ОК
-
не зависят от схем включения транзисторов
36. При увеличении степени легирования базы коэффициент передачи транзистора по току α
-
увеличивается
-
уменьшается
-
не изменяется
37. Для какого типа проводимости базы транзистор характеризуется более высоким коэффициентом усиления и большим быстродействием?
-
дырочный тип проводимости
-
электронный тип проводимости
-
от типа проводимости базы не зависит
-
нет однозначного ответа
38. В дрейфовых транзисторах
-
уменьшается время пролета неосновных носителей заряда через базу и предельная частота, увеличивается коэффициент усиления β
-
уменьшается время пролета неосновных носителей заряда через базу и коэффициент усиления β, увеличивается предельная частота
-
уменьшается время пролета неосновных носителей заряда через базу, увеличивается предельная частота и коэффициент усиления β
-
уменьшается время пролета неосновных носителей заряда через базу, увеличивается предельная частота, коэффициент усиления β не изменяется
39. Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n– каналом, включенным по схеме с общим истоком, полярность напряжения на затворе (Uзи) и на стоке (Uси) относительно земли должна удовлетворять соотношениям
-
Uзи > 0, Uси > 0;
-
Uзи > 0, Uси < 0
-
Uзи < 0, Uси < 0
-
Uзи < 0, Uси >0
40. С ростом по модулю напряжения на затворе полевого транзистора с управляющим p-n переходом сопротивление канала:
-
увеличивается
-
уменьшается
-
не изменяется,
-
нет однозначного ответа
41. Указать зависимость величины крутизны (S) для полевого транзистора с управляющим p-n переходом от напряжения отсечки
-
чем больше напряжение отсечки Uo, тем меньше крутизна
-
чем больше напряжение отсечки Uo, тем больше крутизна
-
не зависит. Выбрать правильный ответ и обосновать его
42. Если длина канала МДП-транзистора с индуцированным каналом увеличится, то крутизна
-
увеличится
-
уменьшится
-
не изменится
43. Для создания высокочастотных, быстродействующих МОП-транзисторов уменьшают время пролета носителей. Если время пролета уменьшить в 2 раза, то предельная частота транзистора увеличится
-
в 3 раза
-
в 2 раза
-
в 4 раза
-
в 1,5 раза
44. С уменьшением концентрации носителей в10 раз в канале полевого транзистора с управляющим p-n переходом минимальное сопротивление канала
-
уменьшается в 100 раз
-
увеличивается в 100 раз
-
не изменяется.
-
уменьшается в 10 раз
-
увеличивается в 10 раз
45. Для МОП транзистора с n– каналом, включенным по схеме с общим истоком, полярность напряжения на затворе (Uзи) и на стоке (Uси) относительно земли должна удовлетворять соотношениям
-
Uзи > 0, Uси > 0;
-
Uзи < 0, Uси < 0
-
Uзи < 0, Uси > 0
-
Uзи > 0, Uси < 0
46. С увеличением концентрации носителей в канале полевого
транзистора с управляющим p-n переходом крутизна характеристики
-
уменьшается
-
увеличивается
-
не изменяется
47. С уменьшением концентрации носителей в10 раз в канале полевого
транзистора с управляющим p-n переходом минимальное сопротивление
канала
-
уменьшается в 100 раз
-
увеличивается в 100 раз;
-
не изменяется
-
уменьшается в 10 раз
-
увеличивается в 10 раз
page d'accueil 
Canaux 
Heure du jeu 
quiz avec résultats